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规格书 |
2SB1203/2SD1803 |
标准包装 | 500 |
晶体管类型 | PNP |
集电极电流(Ic)(最大) | 5A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 550mV @ 150mA, 3A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 200 @ 500mA, 2V |
功率 - 最大 | 1W |
频率转换 | 130MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
供应商器件封装 | TP |
包装材料 | Bulk |
集电极最大直流电流 | 5 |
最低工作温度 | -55 |
安装 | Through Hole |
Maximum Transition Frequency | 130(Typ) |
包装宽度 | 2.3 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 1000 |
类型 | PNP |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 60 |
最大集电极发射极电压 | 50 |
供应商封装形式 | TP |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 6.5 |
引脚数 | 3 |
最小直流电流增益 | 200@0.5A@2V |
包装高度 | 5.5 |
最大基地发射极电压 | 6 |
封装 | Bag |
标签 | Tab |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 5A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 130MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 550mV @ 150mA, 3A |
标准包装 | 500 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
供应商设备封装 | TP |
功率 - 最大 | 1W |
封装/外壳 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 200 @ 500mA, 2V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
晶体管极性 | NPN/PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | - 6 V |
最大功率耗散 | 1 W |
直流集电极/增益hfe最小值 | 70 mA |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
安装风格 | Through Hole |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 5 A |
工厂包装数量 | 500 |
系列 | 2SB1203 |
品牌 | ON Semiconductor |
Pd - Power Dissipation | 1 W |
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